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紅外半導體材料

日本利用無毒的化學元素研發紅外半導體材料

據麥姆斯咨詢報道，日本國家材料研究所(NIMS)和東京工業大學聯合發現了一種化合物：硅酸三鈣(Ca3SiO)，這是一種直接躍遷半導體，未來有望成為紅外光源和紅外探測器的制備材料。

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