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eNVM
GlobalFoundries、NXP合作40納米eNVM技術
晶圓代工廠GlobalFoundries和恩智浦(NXP)共同開發下一代嵌入式非揮發性存儲器eNVM技術,以GlobalFoundries的12吋晶圓廠為基地,低功耗40納米制程為基礎,預計在2016年于新加坡的晶圓廠進行量產。
03/26
力旺電子與中芯國際聯手布局技術發展
嵌入式非揮發性內存領導廠商力旺電子,與中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業中芯國際,共同宣布,已聯手擴大在非揮發性內存技術上的發展布局,合作制程涵蓋0.35微米至40納米等,橫跨 NeoBit、NeoFuse、NeoEE 與 NeoMTP 等單次與多次可程序嵌入式非揮發性內存技術 (eNVM)。
01/02